AMEA Radiasiya Problemləri İnstitutunun, böyük elmi işçisi Hüseynov Elçin Məmmədəli oğluna Azərbaycan Respublikasının Prezidenti yanında Ali Attestasiya Komissiyasının 15.10.2021-ci il tarixli qərarı ilə fizika elmlər doktoru elmi dərəcəsi verilmişdir.
Tehsil.biz xəbər verir ki, o, 1986 – cı ildə Saatlı rayonunda anadan olmuşdur. 2010-cu ildən AMEA Radiasiya Problemləri İnstitutunun əməkdaşıdır. 2011-ci ildə AMEA Radiasiya Problemləri İnstitutunda Radiasiya Materialşünaslığı ixtisası üzrə doktoranturaya daxil olmuşdur. 2014 – cü ildə dissertasiya işini bitirərək fizika üzrə fəlsəfə doktorluğu dissertasiyasını müdafiə etmişdir. 2014 – cü ildən Milli Nüvə Tədqiqatları Mərkəzinin “Radiasiya materialşünaslığı və radiasion nanotexnologiya” şöbəsinin müdiridir. Cari ildə 3C-SiC nanokristalında neytron selinin təsiri ilə baş verən radioaktiv çevrilmələr və onların elektron proseslərinə təsiri mövzusunda fizika elmləri doktorluğu dissertasiyasını müdafiə etmişdir. Hüseynov Elçin Məmmədəli oğlu işlədiyi müddət ərzində ABŞ, Almaniya, İtaliya, Fransa, Çex Respublikası, Avstriya, Sloveniya, Türkiyə, Rusiya və s. ölkələrin nüfuzlu mərkəzlərindəradiasiya fizikası, nanoelektronnika və nanonüvə texnologiyaları ilə əlaqədar müxtəlif işlər görmüş, konfrans və tədbirlərdə iştirak etmişdir:
Hüseynov Elçin Məmmədəli oğlu 93 elmi əsərin müəllifidir ki, onlardan da 40-a qədəri dünyanın reytinqli və indeksli jurnallarda çap olunmuşdur (Applied Physics A, Physics Letters A, Ceramics International, Solid State Sciences, Physica B: (Elsevier), NANO, Silicon (Springer) və s.). Əksəriyyəti reytinqli jurnallarda olmaqla tək müəllif məqalələrinin sayı 14-dür. Hüseynov Elçin Məmmədəli oğlunun beynəlxalq qiymətləndirmə sistemlərində h – indeksi 18, i10-indeksi 23, istinad sayi 500 - dən yuxarıdır.
Apardığı işlərin elmi yeniliyi: Hüseynov Elçin Məmmədəli oğlu ilk dəfə olaraq, 3C-SiC nanokristallarında neytron çevrilmələri tapılmış və nanokristallik 3C-SiC hissəcikləri daxilində neytron transmutasiyası üsulu ilə n – tip aşqarlar alınmışdır. Neytron seli ilə şüalanma nəticəsində nanokristallik 3C-SiC hissəciklərində maksimum 70-80 nm tərtibində aqloremasiyanın olması HRTEM, TEM, FESEM və SEM analizləri ilə göstərilmişdir. Neytron şüalanmadan sonra nanokristallik 3C-SiC hissəciklərinin səthində qalınlığı təqribən 3nm olan amorf təbəqə müəyyən edimişdir. HRTEM analizləri ilə 3C-SiC hissəciklərinin nanokristallik təbiəti təsdiqlənmiş və neytronlarla şüalanmadan sonra nanomaterialda yaranan defektlər və ya klasterlər “ləkələr” kimi müəyyən edilmişdir. Neytron seli ilə şüalanma zamanı 3C-SiC nanokristallarında RIC keciriciliyi müəyyən olunmuşdur və neytronlarla n – tip aşqarlanma nəticəsində 3C-SiC nanokristallarında elektrik keçiriciliyinin ədədi qiymətinin 7.5x10-4 S/m-ə qədər və ya təqribən 5.5 dəfə artması göstərilmişdir. İmpedans spektroskopiyasından tezliyin 0.1MHz, 1MHz və 2.5MHz qiymətlərinə uyğun olaraq TMS = 250K, 325K və 370K temperaturlarda 3C-SiC nanokristallarında metal-yarımkeçirici keçidi tapılmışdır və 3C-SiC nanokristallarının müqavimətinin neytronlarla şüalanmadan sonra təqribən 4 MΩ-dan 1 MΩ-a qədər azalması göstərilmişdir. Neytronlarla şüalanmadan sonra g – faktorun fərqli qiymətlərində paramaqnit mərkəzlərin ümumi sayının təqribən iki dəfə artması göstərilmişdir.
İşin praktik əhəmiyyəti: Göstərilmişdir ki, neytron seli ilə modifikasiya olunaraq 3C-SiC nanokristallarının bəzi fiziki xüsusiyyətləri idarə oluna bilir ki, bu da həmin materialın elektronikada tətbiq imkanlarını artırır. Neytron selinin təsir müddəti ilə nanokristallik 3C-SiC hissəciklərində yaranan aşqarların konsentrasiyasını idarə etmək olar. Yeni yaranmış aşqar elementlərin konsentrasiyasının dəyişməsi, birbaşa nanomaterialın fiziki xasələrinin dəyişməsinə səbəb olur. İşindən alınan nəticələr, radiasiya materialşünaslığı, nüvə fizikası, nanostrukturlar və yarımkeçiricilər fizikası sahələrinin kombinasiyası çərçivəsində multidissiplinar şəkildə tətbiq edilə bilər. Eyni zamanda alınmış yeni və mükəmməl xüsusiyyətlərə malik nanomaterial iqtisadi cəhətdən daha əlverişlidir. Digər tərəfdən, nanomaterialın fiziki xassələrinin idarə olunması digər alternativ materialların bu materiallarla əvəz olunmasına imkan verəcək. Ümumi yanaşmada, neytron transmutasiyası nəticəsində alınmış yeni xüsusiyyətli 3C-SiC nanokristalları mikroelektronika, nanoelektronika, mikroelektromexaniki sistemlər (MEMS), nanoelektromexaniki sistemlər (NEMS) və ionlaşdırıcı mühitlər (peyk (fəza) texnologiyalarında, nüvə texnologiyalarında və s.) kimi bir sıra sahələrdə geniş tətbiq potensialına malikdir.
Gələcək hədəfləri: Ölkəmizdə radiasiya materialşünaslığı, nanoelektronnika və nanonüvə texnologiyalarının inkişafına yönənlmiş elmi tədqiqat işlərinin aparılması əsas hədəfdir. Eyni zamanda, göstərilən sahələrdə gələcəkdə kadırların hazırlanması əsas prioritetdir.
